Совместимость, взаимозаменяемость и отличия ddr3 от ddr3l

Суть стандарта DDR3

В отличие от устаревшей «двойки» в третьей версии емкость микросхем увеличена. Теперь она составляет 8 бит. Это не могло не сказаться положительно на производительности. Также вырос минимальный объем модулей — теперь он составляет 1 гигабайт. Меньше просто невозможно. Разница между DDR3 и DDR3L, которую мы рассмотрим чуть ниже, несущественна. Тут больше разницы между «двойкой» и «тройкой». И она заметна невооруженным глазом. Кстати, и энергопотребление снизилось, что сделало данный тип памяти более подходящим для мобильных компьютеров (ноутбуков).

«Тройка» — стандарт далеко не новый. Поэтому особо радоваться здесь нечему. DDR4 гораздо производительнее. Но, тем не менее, именно этот тип памяти наиболее распространен в наше время. DDR3 и DDR3L, разница в которых не так уж существенна, — однотипные модули. Но разобраться в том, что их отличает, стоит хотя бы для самообразования. Что ж, теперь рассмотрим характеристики «тройки» с литерой L.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

• Уменьшить их емкость.
• Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

• DDR — 2, 5 В.
• DDR2 — 1, 8 В.
• DDR3 — 1, 5 В.
• DDR4 — 1, 2 В.

Можно ли ставить на компьютер разные планки ОЗУ

При апгрейде оборудования важно не упускать из виду вопрос совместимости компонентов. Поскольку планируется увеличение производительности компьютера, под этим, в том числе подразумевается обеспечение корректного функционирования всех элементов в связке, ведь аппаратной составляющей, в частности несовместимостью по определённым параметрам, вызваны многие проблемы в работе устройства

Так, сталкиваясь с необходимостью расширения ОЗУ, пользователи часто задаются вопросом, будет ли совместима новая планка с той, что уже установлена и функционирует на текущий момент, что будет, если поставить разную оперативную память и должны ли в точности совпадать все параметры

Брать во внимание DDR и DDR2 не станем, времена ранних поколений ОЗУ прошли и те проблемы, которые возникали впоследствии установки больше одной плашки тоже уже в прошлом. Информация в данном материале будет касаться актуальных сегодня типов DDR3 и DDR4

Очевидно, что нельзя просто купить дополнительный модуль и просто вставить его в свободный слот без учёта необходимых параметров при выборе памяти, как и поставить DDR3 вместо DDR4 или наоборот. В идеале при расширении ОЗУ нужно добавлять аналогичную по всем характеристикам планку памяти, тогда не придётся переживать о некорректной работе девайса, но такая возможность существует не всегда. Как известно, конфликт оборудования провоцирует проблемы если не сразу, то уже по ходу использования компьютера, поэтому соблюдение ряда условий при замене или добавлении RAM является залогом успешного апгрейда. Рассмотрим, можно ли ставить разные планки оперативной памяти, отличающиеся частотой, объёмом, таймингами, напряжением или производителем на один компьютер, а также что обязательно следует учитывать при составлении комбинаций во избежание неуживчивости элементов друг с другом.

Что дает понижение напряжения?

Последний параметр особенно важен, поскольку он может повлиять на другие характеристики. Происходит это следующим образом:

• Потребляемая электроэнергия преобразуется в тепловую;
• Микросхемы нагреваются, что отрицательно сказывается на их работе;
• Снижается частота, скорость, появляются глюки…

Вот у DDR1 энергопотребление было на уровне 2,5 В, у второго поколения — уже 1,8 Вольт. DDR3 имела рабочее напряжение 1,5 В, а DDR4 аж 1,2 Вольта. Вы посмотрите, какая ожесточенная борьба ведется за каждую десятую вольта. Снижение этой величины стало особенно актуальным с широким распространением компактных и мобильных устройств, требующих большой автономности при работе от аккумуляторов.

Можно ли ставить оперативную память разных производителей? Ответы на вопросы

Многие пользователи, в целях улучшения своего «железа», часто задаются вопросом: можно ли ставить оперативную память разных производителей? Ответ на этот и многие другие вопросы по данной теме будет дан далее.

Поколение оперативной памяти

На рынке компьютерных комплектующих долгое время лидировало поколение оперативной памяти DDR3. После 800 мегагерц от DDR2, следующая ступень оказалась прорывом, преодолев рубеж в гигагерц. Бесспорно это — самая универсальная оперативная память, так как может работать на компьютерах средней величины, а также в игровом компьютере.

Есть еще один вид, который появился относительно недавно, — это DDR3L. Особенность новой планки в том, что она низковольтная, то есть, потребляет да 20 процентов меньше электроэнергии, работая с напряжением в 1,35 вольт.

Такая планка может вполне совладать с системой, заточенной под DDR3, но никак не наоборот. есть процессоры, которые просто не поддерживают стандарт 1,5 вольт. Совмещение планок тоже нежелательно, так как система будет работать с напряжением одного вида.

Так можно ли ставить оперативную память разных производителей? Несмотря на то, что многие материнские платы поддерживают сразу два поколения оперативной памяти, между собой они не совместимы. Нужно устанавливать либо один вид, либо другой.

Что касается мобильных устройств, ноутбуков, то на вопрос, можно ли ставить оперативную память разных производителей на ноутбук, ответ — нет. Дело в том, что планки для ноутбуков лучше приобретать в паре со средним объемом, или одну с большим. Для достоверности нужно узнать возможности материнской платы.

Тайминги и частоты

Если с поколением оперативной памяти все понятно, то можно ли ставить оперативную память разных производителей и частот?

Итак, стоит рассмотреть в первую очередь вариант с разными производителями. Наиболее распространенные производители в области ОЗУ — это «ADATA» и «Kingston»

Эксперты в области компьютерных комплектующих рекомендуют пользователям больше обращать внимание на заводские сборки. Дело в том, что планки, которые продаются в паре или в квартете были протестированы вместе, они идеально подходят друг к другу и прекрасно работают в паре, используя многоканальные потоки

Нельзя исключать и возможность совмещения от разных производителей, если частоты совпадают. Просто память, под руководством контроллера, будет подбирать оптимальные частоту работы для планок от разных производителей. Обычно, выбирается планка, частота которой меньше по показателям. Исходя из предоставленной информации, понятно, можно ли ставить оперативную память разных производителей.

Возможные подключения

Во-первых, многое зависит от возможностей материнской платы, на которой находятся слоты для размещения оперативной памяти. Необходимо выяснить несколько пунктов:

• Доступ к разгону частот ОЗУ.
• Доступный размер ОЗУ.
• Количество доступных слотов.

Первый пункт ориентирован на игровую аудиторию, где разгон оперативной памяти просто необходим. После установки планок нужно зайти в BIOS и выставить необходимые параметры.

Второй пункт отвечает на вопрос: «Можно ли ставить оперативную память разных производителей и разного объема?» Да, планки разного объема могут спокойно функционировать друг с другом. Главное — это правильно рассчитать тайминги и частоты.

В большинстве стандартных материнских платах есть четыре слота для размещения планок ОЗУ, и все они поддерживают многоканальный режим работы. В третьем пункте ударение делается на заполнение слотов памяти.

Два канала не займут много времени на обработку данных, а 8 гигабайт оперативной памяти запросто хватить для работы с играми.

Последствия от неверной установки

Неправильно подобранные планки ОЗУ могут привести к сомнениям, можно ли ставить оперативную память разных производителей. Если не следовать советам производителей и экспертов в данной области, то можно наткнуться на такие нежелательные последствия, как отказ системы к запуску.

Если при установке превысить максимальный объем памяти, то система может просто не задействовать оставшуюся память ОЗУ. По этой причине стоит уточнить у производителя материнской платы допустимый размер оперативной памяти.

То же самое касается и частот, если система не поддерживает разгон, то придется довольствоваться малыми частотами.

Заключение

Подводя итоги, стоит согласиться с тем, можно ли ставить оперативную память разных производителей. При сборке игрового компьютера не стоит игнорировать советы специалистов. Их советы помогут обеспечить максимальный прирост производительности, не нанося урона системе.

В чем разница между памятью DDR3L и DDR3 — [Подробное объяснение]

Узнайте, в чем разница между памятью DDR3L и DDR3 и что лучше выбрать для вашего ПК.

От характеристик оперативной памяти ПК напрямую зависит скорость загрузки программ, а также стабильная работа операционной системы. Сегодня основная масса всех компьютеров работает с типом оперативной памяти DDR. Её особенностью является возможность передавать за один такт в два раза больше информации (по сравнению со стандартным DDR2).

• Особенности памяти DDR3
• Особенности DDR3L
• Как отличить DDR3 от DDR3L
• Совместимость DDR3 и DDR3L
• Итог

На рынке представлено множество типов ОЗУ с современной архитектурой. Самые популярные – это DDR3 и DDR3L. Рассмотрим, в чем отличия и особенности каждого из них.

Особенности памяти DDR3

DDR3 – это синхронная память динамического типа. По сравнению со вторым поколением ОЗУ, этот модуль увеличивает предподкачку информации с 4 бит до 8 бит, что является важным показателем.

Схема ОЗУ третьего поколения

Модули DDR3 имеют от 1 ГБ до 16 ГБ памяти. Тактовая частота находится в диапазоне от 100 до 300 МГц.

Особенности DDR3L

DDR3L – это усовершенствованный модуль DDR3. Такие ОЗУ имеют аналогичную архитектуру.

Усовершенствованный модуль третьего поколения

В 2012 году на рынке появился модуль DDR3L-RS, который используется в смартфонах и планшетных ПК.

Как отличить DDR3 от DDR3L

Главным отличием памяти DDR3 от DDR3L является напряжение. У модуля DDR3 этот параметр равен 1.5V, а у DDR3L – 1.35V. Как следствие, ОЗУ 3L потребляет меньше энергии.

Существует несколько способов различить два модуля памяти:

Проверьте маркировку. Она отличается по серийному модулю. На схеме ОЗУ 3L указывается код PC3L;

Отличия в маркировке

Габариты модулей. У DDR3L высота варьируется в пределах от 28 мм до 32 мм, в то время как у DDR3 этот показатель не меняется и составляет 30.8 мм.

Отличаются два модуля и выемками. Если ваш чипсет не поддерживает тот или иной тип памяти, вы не сможете его подключить.

Совместимость DDR3 и DDR3L

Если вы выбираете хорошую оперативную память для своего ПК или ноутбука, можете смело останавливаться на DDR3L. Дело в том, что модуль с напряжением 1.35V подходит для всех персональных компьютеров и лэптопов, которые поддерживают стандарт ОЗУ DDR3. Никаких проблем с совместимостью не возникнет.

Большинство современных компьютеров имеют два слота для оперативной памяти. Это означает, что вы можете добавить еще один модуль к уже имеющемуся стандартному ОЗУ. Здесь тоже следует помнить, что DDR3L обратно совместима с DDR3, но не наоборот.

ОЗУ DDR3L является модернизированной версией DDR3. Сокращение таймингов, уменьшенное энергопотребление и универсальность – главные отличия DDR3L от своего предшественника.

Если вы выбираете оперативную память для своего компьютера, советуем сначала выяснить модель его чипсета. Далее, зная модель, через сайт её производителя можно узнать, с какими из типов ОЗУ она совместима. Также с помощью программы AIDA можно без разборки компьютера узнать его аппаратные характеристики, модели и серийные номера всех его компонентов.

Как различить эти типы памяти

Для начала немного о маркировке. Обычно в названии памяти DDR3 присутствует маркировка PC3, а у DDR3L, соответственно, PC3L. В некоторых случаях указывается и рабочее напряжение: 1.5 В для первого типа и 1.35 для второго.

p, blockquote 4,0,0,0,0 –>

В ответ на вопрос, можно ли ставить вместе оба типа оперативной памяти в компьютере, скажу так: жёсткого запрета нет, однако делать этого не рекомендуется.

p, blockquote 6,0,0,0,0 –>

Если материнка рассчитана на монтаж низковольтной оперативки, обычный модуль будет работать нестабильно. Если это системная плата под низковольтовую оперативную память, то модуль ОЗУ может перегореть из-за перегрева или чрезмерного напряжения.Оверклокеры могут поэкспериментировать с подаваемым на ОЗУ напряжением, однако успех в этом случае зависит уже от устойчивости детали к аномальному режиму работы.

p, blockquote 7,0,0,0,0 –>

О совместимости планок

Чтобы компьютер или ноутбук работал быстро, стабильно и без крахов, планки ОЗУ следует проверить на совместимость друг с другом, а также с материнской платой и набором микросхем.

В этом случае оперативная память будет лучше работать в многоканальном режиме, повышающем быстродействие. Ориентируясь на параметры оборудования или стоявшей планки, удастся определить, можно ли ставить оперативную память с разной частотой, если нет под рукой одинаковых комплектующих.

Отличающиеся производители

Совместимость оперативной памяти разных производителей зависит от параметров микросхемы SPD, которая хранит сведения о поддерживаемых тактовых частотах и таймингах. В некоторых случаях ОЗУ будет работать некорректно, если поставить комплектующие с одинаковыми свойствами, но несовместимые по количеству чипов и ширине шины.

Разный объем

Если установить разные планки оперативной памяти, например, по 4 и 8 Гб, то работа ОЗУ не нарушится. Компьютер будет функционировать без сбоев. Изменятся только некоторые параметры запоминающего устройства. Например, память будет работать в одноканальном режиме. Это отрицательно скажется на производительности ПК.

Кроме того, частота DRAM может оказаться ниже, чем у наиболее медленного модуля. Эти условия работы достигаются при одинаковых таймингах. На компьютерах, поддерживающих четырехканальный режим, также допускается ставить комплектующие разного объема.

Различие в таймингах и тактовой частоте

Планки с разными таймингами и тактовыми частотами можно совмещать при одинаковом объеме. БИОС автоматически подстроит свою работу, чтобы плашки работали корректно. Это достигается за счет того, что память DDR3 имеет несколько таймингов, возрастающих по мере повышения тактовой частоты. Если объемы планок или напряжение питания различаются, то ОЗУ утратит работоспособность из-за рассогласования параметров. При одинаковом размере будет использоваться наименьший тайминг, поддерживаемый всеми планками и контроллером.

Последствия несовместимости

Если установить одновременно модули DDR3 и DDR2, то стабильность работы оборудования нарушится, поскольку эти стандарты несовместимы. В этом случае динамик, присоединенный к системной плате, будет подавать сигналы тревоги, а изображение на мониторе не появится, и операционная система не загрузится. На некоторых ноутбуках звук ошибки издадут встроенные колонки.

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти. Имеются «планки» DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью. В настоящее время — это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.

Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо. Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3. Какая разница между ними?

DDR2 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передача данных в секунду (MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200	DDR2-400	100 МГц	200 МГц	400	3200 МБ/с
PC2-4200	DDR2-533	133 МГц	266 МГц	533	4200 МБ/с
PC2-5300	DDR2-667	166 МГц	333 МГц	667	5300 МБ/с
PC2-5400	DDR2-675	168 МГц	337 МГц	675	5400 МБ/с
PC2-5600	DDR2-700	175 МГц	350 МГц	700	5600 МБ/с
PC2-5700	DDR2-711	177 МГц	355 МГц	711	5700 МБ/с
PC2-6000	DDR2-750	187 МГц	375 МГц	750	6000 МБ/с
PC2-6400	DDR2-800	200 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC2-7100	DDR2-888	222 МГц	444 МГц	888	7100 МБ/с
PC2-7200	DDR2-900	225 МГц	450 МГц	900	7200 МБ/с
PC2-8000	DDR2-1000	250 МГц	500 МГц	1000	8000 МБ/с
PC2-8500	DDR2-1066	266 МГц	533 МГц	1066	8500 МБ/с
PC2-9200	DDR2-1150	287 МГц	575 МГц	1150	9200 МБ/с
PC2-9600	DDR2-1200	300 МГц	600 МГц	1200	9600 МБ/с

Немного теоретической части

Прежде чем найти 1000 и 1 отличие ddr3 от ddr4, рассмотрим немного теории и подкрепим все практикой. Как мы уже говорили, впервые разработкой усовершенствованной памяти занялись еще в далеком 2005 году. На тот момент было совсем непонятно что делать и в какую сторону развиваться. Мысли были, но как реализовать все на практике оставалось загадкой.

Вначале 2000-х у многих на компьютерах была установленная обыкновенная оперативная память первого поколения. Об усовершенствовании ее не могло идти и речи. Ведь это было нерентабельным и дорогостоящим удовольствием.

Память DDR4 отличается безупречными теоретическими характеристиками. И этот аргумент выгораживает разработку в правильном свете. Так, главным ее преимуществом является быстрая работа.

Скорость передачи информации значительно увеличилась. У DDR3 она составляла не более 1866 МГц, в DDR4 этот параметр равен 2133 МГц. Естественно, это положительно сказывается на производительности устройства.

Память данного типа ориентирована на случайный доступ ко всем ее массивам. Это означает, что контроллер может обратиться к любой ячейке и заполнить ее данными. Данное действие не мгновенное, время, затраченное на процесс, измеряется в тактах.

Наиболее востребованной тактовой частотой для DDR3 выступает 1600 МГц, для новенькой DDR4 показатель составляет 2133 МГц. Мы об этом уже говорили чуть выше. Но дело в том, что это не единственная отличительная черта.

Визуальный осмотр оперативной памяти

Если у вас есть возможность открыть компьютер и осмотреть его комплектующие, то всю необходимую информацию вы можете получить с наклейки на модуле оперативной памяти.

Обычно на наклейке можно найти надпись с названием модуля памяти. Это название начинается с букв «PC» после которых идут цифры, и оно указывает на тип данного модуля оперативной памяти и его пропускную способность в мегабайтах за секунду (МБ/с).

Например, если на модуле памяти написано PC1600 или PC-1600, то это модуль DDR первого поколения с пропускной способностью в 1600 МБ/с. Если на модуле написано PC2‑3200, то это DDR2 с пропускной способностью в 3200 МБ/с. Если PC3 – то это DDR3 и так далее. В общем, первая цифра после букв PC указывает на поколение DDR, если этой цифры нет, то это простой DDR первого поколения.

В некоторых случаях на модулях оперативной памяти указывается не название модуля, а тип оперативной памяти и его эффективная частота. Например, на модуле может быть написано DDR3 1600. Это означает что это модуль DDR3 c эффективной частотой памяти 1600 МГц.

Для того чтобы соотносить названия модулей с типом оперативной памяти, а пропускную способность с эффективной частотой можно использовать таблицу, которую мы приводим ниже. В левой части этой таблицы указаны названия модулей, а в правой тип оперативной памяти, который ему соответствует.

Название модуля	Тип оперативной памяти
PC-1600	DDR-200
PC-2100	DDR-266
PC-2400	DDR-300
PC-2700	DDR-333
PC-3200	DDR-400
PC-3500	DDR-433
PC-3700	DDR-466
PC-4000	DDR-500
PC-4200	DDR-533
PC-5600	DDR-700
PC2-3200	DDR2-400
PC2-4200	DDR2-533
PC2-5300	DDR2-667
PC2-5400	DDR2-675
PC2-5600	DDR2-700
PC2-5700	DDR2-711
PC2-6000	DDR2-750
PC2-6400	DDR2-800
PC2-7100	DDR2-888
PC2-7200	DDR2-900
PC2-8000	DDR2-1000
PC2-8500	DDR2-1066
PC2-9200	DDR2-1150
PC2-9600	DDR2-1200
PC3-6400	DDR3-800
PC3-8500	DDR3-1066
PC3-10600	DDR3-1333
PC3-12800	DDR3-1600
PC3-14900	DDR3-1866
PC3-17000	DDR3-2133
PC3-19200	DDR3-2400
PC4-12800	DDR4-1600
PC4-14900	DDR4-1866
PC4-17000	DDR4-2133
PC4-19200	DDR4-2400
PC4-21333	DDR4-2666
PC4-23466	DDR4-2933
PC4-25600	DDR4-3200

Crucial 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один бюджетный модуль оперативной памяти стандарта 3L. Его рабочая частота составляет 1600 мегагерц. Рабочее напряжение — 1,35 В. Это стандартно для энергоэффективной памяти. Более ничем выдающимся этот модуль памяти не отличается. Вот только в двухканальном режиме он работает гораздо лучше своих предшественников. Два таких модуля способны заметно поднять производительность любого лэптопа. И в этом их главная заслуга. Стоит эта оперативная память недорого. Поэтому она и является самой распространенной.

Это легендарный производитель модулей оперативной памяти. Все помнят его высокопроизводительные модели для геймерских компьютеров. Но и в бюджетном сегменте Crucial не ударили в грязь лицом

Модули получились производительными, надежными и энергоэффективными, что немаловажно для владельцев ноутбуков. Приятно, что легендарный производитель, наконец, развернулся лицом к любителям лэптопов

DDR4: Правда ли что 4 модуля памяти работают хуже чем 2?

Если вы раздумываете, покупать оперативную память двумя модулями или четырьмя, то сегодняшняя статья для вас. Есть ли разница при установке двух и четырёх модулей оперативной памяти DDR4 при одинаковом общем объёме и прочих равных условиях?

По идее, кроме количества планок, никакой разницы быть не должно. Однако, сомнения появляются, если посмотреть на официальные данные от компании AMD о поддержке частот контроллером памяти, реализованным в процессорах семейства Ryzen.

Как видим, максимальные частоты памяти достижимы далеко не всегда. В AMD пояснили, что дополнительные ограничения возникают в случае, когда в каждом канале установлено не по одному, а по два модуля, или когда модули совмещают на одной планке два набора микросхем с 64-битной шиной. Простыми словами, 4 одинаковых модуля оперативной памяти DDR4, в одном и том же компьютере будут разгоняться хуже, чем при использовании только двух модулей.

Лично мне абсолютно фиолетово на то гонится оперативная память или нет, но заядлые геймеры и любители меряться мифическими «попугаями» из синтетических тестов относятся к данному вопросу иначе.

Выбор между одни модулем памяти и двумя вполне очевиден. Использование двух модулей, работающих в двухканальном режиме, в любой системе будет предпочтительнее одного с тем же объемом. Двухканальный режим работы дает весомую прибавку к производительности.

В случае с четырьмя модулями памяти, где они всегда работают в двухканальном режиме, выбор становится не так очевиден. Наличие четырех модулей однозначно лучше только для систем с процессорами Core i9 и Threadripper, что обусловлено инициализацией четырехканального режима работы памяти. Но в иных случаях, не повредит ли такое количество производительности в синтетических тестах и реальных играх?

На мой взгляд, заметить разницу вряд ли получится, и уж тем более если вы просто используете компьютер для работы. Чтобы не быть голословным, опубликую видео с техноканала PRO Hi-Tech, где специально провели такие тесты памяти на платформах Intel Z370 с Core i7-8700K и X470 с AMD Ryzen 5 2600X и сравнили производительность с двумя и четырьмя модулями. Разница в предельных частотах чипов памяти действительно есть, но на общую производительность системы это никак не повлияло.

Если считаете статью полезной, не ленитесь ставить лайки и делиться с друзьями.

Загадочная «PM» серия SSD накопителей Samsung, которой не найти в продаже Возвращаем к жизни WD My Book Live Не печатает принтер Kyocera. Кассета 1 не загружена. Оригинальные SSD для Macbook и iMac. Какие бывают проблемы с переходниками и конвертерами. Плюсы и минусы AirPort Time Capsule Дожили… оперативка со стразиками

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Разбираемся с основными значениями таймингов

Латентность (от англ. CAS Latency сокращенно CL) в обиходе “тайминг” — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют эти задержки в тактах шины памяти.

Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных. В технических характеристиках оперативной памяти их записывают в строгой последовательности в виде трех или четырех чисел: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и DRAM Cycle Time Tras/Trc (Active to Precharge Delay). Сокращенно это может выглядеть так: CL-RCD-RP-RAS.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24, или только одна, например CL11. В этом случае имеется ввиду первый параметр, то есть CAS Latency.

Теперь разберемся с этими задержками более подробно.

Для наглядного примера возьмем пару планок памяти DDR3 1600 Мгц по 8 Gb каждая с таймингами 11-11-11-28.

На планке памяти данная информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету материнки. Посмотреть эту информацию можно с помощью специальных утилит, например CPU-Z или HWINFO.

Тайминги памяти в программах CPU-Z и HWINFO

CAS Latency (tCL) — самый главный тайминг в работе памяти, который оказывает наибольшее значение на скорость ее работы. В характеристиках памяти всегда стоит первым. Указывает на промежуток времени, который проходит между подачей команды на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

Это время можно измерить в наносекундах. Для этого лучше всего воспользоваться калькулятором. Вводим частоту в Мгц (у нас это 1600) и время задержки (11). На выходе получаем, что время задержки между подачей команды на чтение/запись данных и началом ее выполнения составляет 13.75 наносекунд.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка от RAS до CAS. Время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.

RAS Precharge Time (tRP) — интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.

Row Active Time (tRAS) — пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Command Rate — скорость поступления команды. Время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Часто этот параметр в маркировке памяти не указывается, но всегда есть в программах. Обычно это T1 или T2. 1 или 2 тактовых цикла.

Как отличить DDR3 от DDR3L

Главным отличием памяти DDR3 от DDR3L является напряжение. У модуля DDR3 этот параметр равен 1.5V, а у DDR3L – 1.35V. Как следствие, ОЗУ 3L потребляет меньше энергии.

Существует несколько способов различить два модуля памяти:

Проверьте маркировку. Она отличается по серийному модулю. На схеме ОЗУ 3L указывается код PC3L;

Отличия в маркировке

Габариты модулей. У DDR3L высота варьируется в пределах от 28 мм до 32 мм, в то время как у DDR3 этот показатель не меняется и составляет 30.8 мм.

Отличаются два модуля и выемками. Если ваш чипсет не поддерживает тот или иной тип памяти, вы не сможете его подключить.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Особенности использования

Когда модуль, рабочее напряжение у которого 1.5 В, получает всего 1.35 В, он начинает сбоить и провоцирует периодические зависания ОС и вылеты в «синий экран».

Многие системные платы позволяют реализовать подобный оверклокинг, однако это не панацея от некорректной работы: лучше подобрать подходящий по типу модуль памяти и не делать себе нервы.

Начиная с поколения Skylake, процессоры Intel рассчитаны только на эксплуатацию в связке с низковольтовой памятью. Как уверяют сами разработчики, дальнейшее развитие модельного ряда будет идти именно в этом направлении, а возможно, что появятся модификации, потребляющие еще меньшее напряжение.

Использование 1.5 -вольтовой ОЗУ может же попросту повредить процессор. То есть, можно заставить работать с высоковольтовой памятью процессор, рассчитанный на использование 1.35 вольта, но это чревато нестабильностью работы компьютера.

Владельцам ноутбуков следует быть более внимательными: на многих моделях используется именно SO-DIMM DDR3L, так как при их работе меньше садится аккумуляторная батарея. Лучший способ определить тип памяти — установить бесплатную утилиту CPU‑Z и выполнить мониторинг комплектующих.

Согласно спецификации JESD79‐3‐1A.0, модуль, рассчитанный на низкое напряжение, может использоваться без всяких ограничений в старой материнской плате, рассчитанной на ДДР3. То есть, в чем отличия: низковольтная память будет работать в любой системной плате, а высоковольтная только в рассчитанной под обычную DDR3.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .